Print

Zamawiający - Ordering Party:
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk,
ul. Sokołowska 29/37,
01-142 Warszawa

Nr sprawy - Case no.: ZP-237/02/2023

Postępowanie: Dostawa struktur testowych oraz tranzystorów typu HEMT na bazie heterostruktur krystalizowanych z AlScN/GaN oraz AlGaN/GaN metodą MOVPE

Procedure: Supply of test structures and high electron mobility transistors (HEMT) based on AlScN/GaN and AlGaN/GaN heterostructures crystallised by metalorganic vapour phase epitaxy (MOVPE)

Adres strony internetowej prowadzonego postępowania - Address of the website of the conducted procedure:

https://ezamowienia.gov.pl/mp-client/search/list/ocds-148610-32d5eeea-a6d1-11ed-9236-36fed59ea7dd