Zamówienie udzielane na podstawie art. 214 ust. 1 pkt 6 ustawy ZPWR-3/09/2023

Redakcja BIP

Szymon Stańczyk

e-mail: szymon.stanczyk@unipress.waw.pl
Telefon: +48 22 876 03 38
Faks: +48 22 876 03 04

Sławomir Sakowski

e-mail: slawek.sakowski@unipress.waw.pl
Telefon: +48 22 888 02 36
Faks: +48 22 632 42 18

Konrad Sakowski

e-mail: konrad.sakowski@unipress.waw.pl
Telefon: +48 22 888 02 36
Faks: +48 22 632 42 18

Stanisław Gierlotka

e-mail: stanislaw.gierlotka@unipress.waw.pl
Telefon: +48 22 888 02 23
Faks: +48 22 876 03 04

Szczegóły: Autor: Konrad Sakowski; Opublikowano: 19 wrzesień 2023; Utworzono: 19 wrzesień 2023; Poprawiono: 19 wrzesień 2023

Zamawiający:
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk,
ul. Sokołowska 29/37,
01-142 Warszawa

Nr sprawy: ZPWR-3/09/2023

Postępowanie: Dostawa wertykalnych tranzystorów typu Trench MOSFET w technologii GaN-on-GaN.

Adres strony internetowej prowadzonego postępowania: https://ezamowienia.gov.pl/mp-client/search/list/ocds-148610-4a576558-56cd-11ee-a60c-9ec5599dddc1