Biuletyn Informacji Publicznej
Temat: Wpływ warunków wzrostu metodą MOVPE na mechanizm krystalizacji i własności fizyczne warstw epitaksjalnych InGaN do zastosowań w azotkowych emiterach światła
Promotor: Prof. dr hab. Michał Leszczyński
Obrona: 17 czerwca 2016r .
Zatwierdzenie: 28 czerwca 2016 r.
Temat rozprawy
Wpływ warunków wzrostu metodą MOVPE na mechanizm krystalizacji i własności fizyczne warstw epitaksjalnych InGaN do zastosowań w azotkowych emiterach światła
Promotor:
prof. dr hab. Michał Leszczyński
Recenzenci:
Dr hab. inż. Jolanta Prywer prof. PŁ (recenzja w pliku pdf)
Prof. dr hab. Andrzej Suchocki (recenzja w pliku pdf)
Komisja doktorska:
Prof. dr hab. Czesław Skierbiszewski - przewodniczący
Dr hab. Izabella Grzegory prof. IWC PAN
Dr hab. Sławomir Łepkowski prof IWC PAN
Prof. dr hab. Sylwester Porowski
Prof. dr hab. Marek Godlewski
Data obrony:
17 czerwca 2016r .
Data zatwierdzenia przez Rade Naukową IWC PAN:
28 czerwca 2016 r.