Biuletyn Informacji Publicznej
Temat: Mechanizmy wzrostu warstw GaN, InGaN oraz AlGaN na podłożach GaN o różnej orientacji krystalograficznej metodą epitaksji z wiązek molekularnych
Promotor: Prof. dr hab. Czesław Skierbiszewski
Obrona: 23 lutego 2015 r.
Zatwierdzenie: 24 lutego 2015 r.
Temat rozprawy
Mechanizmy wzrostu warstw GaN, InGaN oraz AlGaN na podłożach GaN o różnej orientacji krystalograficznej metodą epitaksji z wiązek molekularnych
Promotor:
prof. dr hab. Czesław Skierbiszewski
Recenzenci:
Prof. dr hab. Maciej Bugajski (recenzja w pliku pdf)
Prof. dr hab. Bogdan Kowalski (recenzja w pliku pdf)
Komisja doktorska:
Prof. dr hab. Stanisław Krukowski - przewodniczący
Prof. dr hab. Piotr Perlin
Prof. dr hab. Tadeusz Suski
Prof. dr hab. Witold Trzeciakowski
Prof. dr hab. Zbigniew Żytkiewicz
Data obrony:
23 lutego 2015 r
Data zatwierdzenia przez Rade Naukową IWC PAN:
24 lutego 2015 r.