Biuletyn Informacji Publicznej
Temat: Mechanizmy wzrostu oraz własności fizyczne struktur kwantowych GaN/ AlGaN/InGaN wytwarzanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych z plazma azotową
Promotor: dr hab Czesław Skierbiszewski, prof. IWC PAN
Obrona: 27 sierpnia 2012 r.
Zatwierdzenie: 7 września 2012 r.
Temat rozprawy:
Mechanizmy wzrostu oraz własności fizyczne struktur kwantowych GaN/ AlGaN/InGaN wytwarzanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych z plazma azotową
Promotor:
Dr hab Czeslaw Skierbiszewski, prof. IWC PAN
Recenzenci:
Prof. dr hab. Maciej Bugajski (recenzja w pliku pdf)
Prof. dr hab. Zbigniew Żytkiewicz (recenzja w pliku pdf)
Komisja doktorska:
Prof. dr hab. Witold Trzeciakowski - przewodniczący
Prof. dr hab. Michał Leszczyński
Prof. dr hab. Bogdan Pałosz
Dr hab. Daniło Facca, Prof. IFS PAN
Katarzyna Wrońska-Sawin
Data obrony:
27 sierpnia 2012 r.
Data zatwierdzenia przez Radę Naukową IWC PAN:
7 września 2012 r.