Temat rozprawy
Wpływ warunków wzrostu metodą MOVPE na mechanizm krystalizacji i własności fizyczne warstw epitaksjalnych InGaN do zastosowań w azotkowych emiterach światła

Promotor:
prof. dr hab. Michał Leszczyński

Recenzenci:
Dr hab. inż. Jolanta Prywer prof. PŁ (recenzja w pliku pdf)
Prof. dr hab. Andrzej Suchocki (recenzja w pliku pdf)

Komisja doktorska:
Prof. dr hab. Czesław Skierbiszewski - przewodniczący
Dr hab. Izabella Grzegory prof. IWC PAN
Dr hab. Sławomir Łepkowski prof IWC PAN
Prof. dr hab. Sylwester Porowski
Prof. dr hab. Marek Godlewski

Data obrony:
17 czerwca 2016r .

Data zatwierdzenia przez Rade Naukową IWC PAN:
28 czerwca 2016 r.

Praca w pliku pdf