Trwające postępowania doktorskie
oraz doktoraty
obronione i zatwierdzone
przez Radę Naukową Instytutu Wysokich Ciśnień PAN
- Details
- Sławomir Sakowski
Uchwała Rady Naukowej IWC PAN nr 2019/9 z dnia 17.09.2019 r.
Uchwała została uchylona uchwałą Rady Naukowej Instytutu Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk nr 2024/10 z dnia 27.02.2024 r. w sprawie określenia sposobu postępowania w sprawie nadania stopnia doktora oraz stopnia doktora habilitowanego w Instytucie Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk.
- Details
- Konrad Sakowski
Temat rozprawy: Diffusion of acceptors in ion implanted gallium nitride grown by halide vapor phase epitaxy
Promotor: prof. dr hab. Michał Boćkowski (IWC PAN)
- Details
- Konrad Sakowski
mgr Aleksandr Cherniadev
Temat rozprawy: Investigating terahertz near-field sensing with a locally integrated probe
Promotorzy:
dr Alvydas Lisauskas (Vilnius University)
dr Dmytro But (IWC PAN)
- Details
- Sławomir Sakowski
Temat rozprawy: Mechanizm trawienia elektrochemicznego GaN oraz jego zastosowanie w inżynierii urządzeń optoelektronicznych
Promotorzy:
prof. dr hab. Czesław Skierbiszewski (IWC PAN)
dr inż. Marta Sawicka (IWC PAN)
- Details
- Konrad Sakowski
Temat rozprawy: THz spectroscopy of Dirac matter
Promotorzy:
prof. dr hab. Wojciech Knap (IWC PAN)
Dr. Frédéric Teppe (Université de Montpellier)
- Details
- Konrad Sakowski
Temat rozprawy: Phenomena related to charge distribution in nitride heterostructures and their quantitative determination using density functional theory
Promotor: dr hab. Paweł Strąk, prof. IWC PAN
Obrona: 11.10.2023
- Details
- Sławomir Sakowski
Temat rozprawy: Terahertz plasma excitations in AlGaN/GaN nanostructures
Promotor: dr hab. Grzegorz Cywiński, prof. IWC PAN
Promotor pomocniczy: dr Dmytro But
- Details
- Konrad Sakowski
Temat rozprawy: Noise and THz Responsivity Mechanisms in Graphene and Semiconducting Plasma Wave Detectors
Promotor: prof. Sergei L. Rumiantcev
Promotor pomocniczy: dr Dmytro But
- Details
- Konrad Sakowski
Temat rozprawy: Mechanisms of strain relaxation in InGaN films grown on (0001)-oriented GaN substrates
Promotor: dr hab. Julita Smalc-Koziorowska
Obrona: 23.03.2023
Zatwierdzenie: 27.06.2023