Temat: HVPE as a method for crystallizing GaN with low background impurity concentration with controllable doping – highly conductive n-type and semi-insulating material
Promotor: Dr hab. Michał Boćkowski
Obrona: 29 kwietnia 2020 r.
Zatwierdzenie: 1 lipca 2020 r.

Temat rozprawy:

HVPE as a method for crystallizing GaN with low background impurity concentration with controllable doping – highly conductive n-type and semi-insulating material

Promotor:
Dr hab. Michał Boćkowski, prof. IWC PAN

Recenzenci:
Prof. Matthias Bickermann (recenzja )
Prof. Ramon Colazzo (recenzja )

Komisja doktorska:
Prof. dr hab. Czesław Skierbiszewski - przewodniczący
Prof. dr hab. Izabella Grzegory
Prof. dr hab. Stanisław Krukowski
Prof. dr hab. Sylwester Rzoska
Prof. dr hab. Sylwester Porowski

Data obrony: 29 kwietnia 2020 r.

Data nadania stopnia przez Rade Naukową IWC PAN: 1 lipca 2020 r.

Rozprawa doktorska