W związku z planowanym postępowaniem dotyczącym
Dostawy struktur testowych oraz tranzystorów typu HEMT na bazie heterostruktur krystalizowanych z AlScN/GaN oraz AlGaN/GaN metodą MOVPE
w celu ustalenia szacunkowej wartości zamówienia Instytut Wysokich Ciśnień PAN prosi potencjalnych oferentów o przedstawienie cen zgodnie z poniższą specyfikacją:
Ceny oraz inne istotne informacje prosimy przesyłać w terminie do 25.10.2022.