Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk zaprasza do składania zgłoszeń na stanowisko Młodszy Pracownik Badawczy po Doktoracie (Junior Postdoctoral Researcher - JPR) - Obliczeniowy i Technologiczny Rozwój Struktur Diodowych na Bazie GaN, w ramach Centrum Fizyki i Technologii Półprzewodników Azotkowych "GaN-Unipress".
Termin składania aplikacji – 9 kwietnia 2026 r.
Rekrutacja prowadzona jest w ramach projektu "Centrum Fizyki i Technologii Półprzewodników Azotkowych – GaN-Unipress", realizowanego w programie Międzynarodowe Agendy Badawcze (MAB), nr grantu FENG.02.01-IP.05-M042/25, pod kierownictwem prof. dr. hab. inż. Michała Boćkowskiego.
***
The Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, invites applications for the position of Junior Postdoctoral Researcher (JPR) – Computational and Technology-Oriented Development of GaN-Based Diode Structures, within the Center for Nitride Semiconductor Physics and Technology “GaN-Unipress”.
Application deadline – April 9, 2026.
Recruitment is conducted as part of the project “Center for Nitride Semiconductor Physics and Technology – GaN-Unipress”, carried out within the International Research Agendas (MAB) programme, grant no. FENG.02.01-IP.05 -M042/25, project leader: Prof. Michał Boćkowski, PhD, Eng.