Zamawiający:
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk,
ul. Sokołowska 29/37,
01-142 Warszawa
Nr sprawy: ZPWR-3/09/2023
Postępowanie: Dostawa wertykalnych tranzystorów typu Trench MOSFET w technologii GaN-on-GaN.
Adres strony internetowej prowadzonego postępowania: https://ezamowienia.gov.pl/mp-client/search/list/ocds-148610-4a576558-56cd-11ee-a60c-9ec5599dddc1