Trwające postępowania doktorskie
oraz doktoraty
obronione i zatwierdzone
przez Radę Naukową Instytutu Wysokich Ciśnień PAN

Details

Temat: HVPE as a method for crystallizing GaN with low background impurity concentration with controllable doping – highly conductive n-type and semi-insulating material
Promotor: Dr hab. Michał Boćkowski
Obrona: 29 kwietnia 2020 r.
Zatwierdzenie: 1 lipca 2020 r.

Details

dr Agata Bojarska
Temat: Temperature dependent processes in the active region of InGaN laser diodes
Promotor: Prof. dr hab. Piotr Perlin
Obrona:.24.04.2019r.
Zatwierdzenie: 29.05.2019r.

Details

Temat: Wzrost kryształów GaN metodą wodorkową (HVPE) na monokrystalicznych zarodziach GaN o różnych pokrojach i własnościach fizycznych
Promotor: dr hab. Izabella Grzegory, prof. IWC PAN
Obrona: 08.03.2017 r.
Zatwierdzenie: 25.09.2018 r.

 

Details

Temat: Superluminescent diodes based on InGaN quantum structures
Promotor: Prof. dr hab. Piotr Perlin

Obrona: 12 marca 2018 r.
Zatwierdzenie: 14 marca 2018 r

Details

Temat: Procesy wzrostu i własności fizyczne monokryształów GaN otrzymywanych metodą wodorkową (HVPE) na podłożach GaN z metody amonotermalnej
Promotor: dr hab. Izabella Grzegory prof. IWC PAN

Obrona: 6. grudnia 2017r.
Zatwierdzenie: 13. grudnia 2017 r.

Details

Temat: Własności optyczne azotkowych diod laserowych wytwarzanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych
Promotor: Prof. dr hab. Czesław Skierbiszewski

Obrona: 8. marca 2017r.
Zatwierdzenie: 16. marca 2017 r.

Details

Temat: Mechanizm wzrostu azotku indowo-galowego metodą epitaksji z wiązek molekularnych z plazma azotową
Promotor: Prof. dr hab. Czesław Skierbiszewski

Obrona: 22 października 2015r .
Zatwierdzenie: 17 grudnia 2015 r.

Details

Temat: Wpływ warunków wzrostu metodą MOVPE na mechanizm krystalizacji i własności fizyczne warstw epitaksjalnych InGaN do zastosowań w azotkowych emiterach światła
Promotor: Prof. dr hab. Michał Leszczyński

Obrona: 17 czerwca 2016r .
Zatwierdzenie: 28 czerwca 2016 r.

Details

Temat: Struktura mikroskopowa oraz przebieg podstawowych procesów molekularnych na powierzchni GaN(0001) podczas krystalizacji azotku galu metodą wodorkową (HVPE)
Promotor: Prof. dr hab. Stanisław Krukowski
Obrona: 14 maja 2015 r.
Zatwierdzenie: 30 czerwca 2015 r.

Details

Temat: Określenie roli mikrostruktury i jej wpływu na własności transportowe nadprzewodzącego związku MgB2
Promotor: Prof. dr hab. Piotr Przysłupski
Promotor pomocniczy: dr Andrzej Morawski
Obrona: 24 czerwca 2015 r.
Zatwierdzenie: 30 czerwca 2015 r.