Trwające postępowania doktorskie
oraz doktoraty
obronione i zatwierdzone
przez Radę Naukową Instytutu Wysokich Ciśnień PAN

Details

Temat rozprawy: Physical mechanisms determining the maximum optical power emitted from InGaN laser diodes
Promotor: prof. dr hab. Piotr Perlin
Obrona: 15.09.2021 r.
Zatwierdzenie: 28.09.2021 r.

Details

Temat: Określenie mechanizmów wzrostu i domieszkowania kryształów azotku galu wzrastanych z fazy gazowej metodą halogenkową w wybranych kierunkach półpolarnych i niepolarnych
Promotor: dr hab. Michał Boćkowski, Prof. IWC PAN
Obrona: 08.10.2020 r.
Zatwierdzenie: 13.10.2020 r.

Details

Temat: Struktura międzypowierzchni fazowej i jej własności w układach warstwowych opartych o azotki metali grupy III i chalkogenki bizmutu
Promotor: dr hab. Paweł Strąk, Prof. IWC PAN
Promotor pomocniczy: dr Julita Smalc-Koziorowska
Obrona:07.10.2020 r.
Zatwierdzenie:13.10.2020 r.

Details

Temat: Procesy fizyczne w sieci krystalicznej GaN w wysokich ciśnieniach i temperaturach: stabilność, topnienie, dyfuzja
Promotor: Prof. dr hab. Izabella Grzegory
Obrona:03.09.2020 r.
Zatwierdzenie: 13.10.2020 r.

Details

Temat: HVPE as a method for crystallizing GaN with low background impurity concentration with controllable doping – highly conductive n-type and semi-insulating material
Promotor: Dr hab. Michał Boćkowski
Obrona: 29 kwietnia 2020 r.
Zatwierdzenie: 1 lipca 2020 r.

Details

dr Agata Bojarska
Temat: Temperature dependent processes in the active region of InGaN laser diodes
Promotor: Prof. dr hab. Piotr Perlin
Obrona:.24.04.2019r.
Zatwierdzenie: 29.05.2019r.

Details

Temat: Wzrost kryształów GaN metodą wodorkową (HVPE) na monokrystalicznych zarodziach GaN o różnych pokrojach i własnościach fizycznych
Promotor: dr hab. Izabella Grzegory, prof. IWC PAN
Obrona: 08.03.2017 r.
Zatwierdzenie: 25.09.2018 r.

 

Details

Temat: Superluminescent diodes based on InGaN quantum structures
Promotor: Prof. dr hab. Piotr Perlin

Obrona: 12 marca 2018 r.
Zatwierdzenie: 14 marca 2018 r

Details

Temat: Procesy wzrostu i własności fizyczne monokryształów GaN otrzymywanych metodą wodorkową (HVPE) na podłożach GaN z metody amonotermalnej
Promotor: dr hab. Izabella Grzegory prof. IWC PAN

Obrona: 6. grudnia 2017r.
Zatwierdzenie: 13. grudnia 2017 r.

Details

Temat: Własności optyczne azotkowych diod laserowych wytwarzanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych
Promotor: Prof. dr hab. Czesław Skierbiszewski

Obrona: 8. marca 2017r.
Zatwierdzenie: 16. marca 2017 r.