Trwające postępowania doktorskie
oraz doktoraty
obronione i zatwierdzone
przez Radę Naukową Instytutu Wysokich Ciśnień PAN

Details

Temat rozprawy: Uniwersalność dynamiki i przejść fazowych ciekłych kryształów w stanie przechłodzonym
Promotor: prof. dr hab. Sylwester Rzoska
Obrona: 20.10.2022
Zatwierdzenie: 10.11.2022

Details

Temat rozprawy: Wpływ ciśnienia na syntezę i własności nadprzewodzące podwójnie domieszkowanego związku MgB2 i domieszkowanego związku FeSe
Promotor: prof. dr hab. Piotr Przysłupski
Promotor pomocniczy: dr Andrzej Morawski
Obrona: 20.10.2022
Zatwierdzenie: 10.11.2022

Details

Temat rozprawy:Fotoluminescencja i elektroluminescencja w strukturach InGaN w warunkach działania ciśnienia hydrostatycznego i zmiennych pobudzeń optycznych i elektrycznych
Promotor:prof. dr hab. Tadeusz Suski
Promotor pomocniczy:dr Grzegorz Staszczak
Obrona: 14.06.2022
Zatwierdzenie: 29.06.2022

Details

Temat rozprawy: Hydrostatic pressure- and temperature-driven topological properties of HgTe/HgCdTe quantum wells
Promotor: prof. dr hab. Wojciech Knap
Promotor pomocniczy: dr hab. Grzegorz Cywiński
Obrona: 8.11.2021
Zatwierdzenie: 14.12.2021

Details

Temat rozprawy: Physical mechanisms determining the maximum optical power emitted from InGaN laser diodes
Promotor: prof. dr hab. Piotr Perlin
Obrona: 15.09.2021 r.
Zatwierdzenie: 28.09.2021 r.

Details

Temat: Określenie mechanizmów wzrostu i domieszkowania kryształów azotku galu wzrastanych z fazy gazowej metodą halogenkową w wybranych kierunkach półpolarnych i niepolarnych
Promotor: dr hab. Michał Boćkowski, Prof. IWC PAN
Obrona: 08.10.2020 r.
Zatwierdzenie: 13.10.2020 r.

Details

Temat: Struktura międzypowierzchni fazowej i jej własności w układach warstwowych opartych o azotki metali grupy III i chalkogenki bizmutu
Promotor: dr hab. Paweł Strąk, Prof. IWC PAN
Promotor pomocniczy: dr Julita Smalc-Koziorowska
Obrona:07.10.2020 r.
Zatwierdzenie:13.10.2020 r.

Details

Temat: Procesy fizyczne w sieci krystalicznej GaN w wysokich ciśnieniach i temperaturach: stabilność, topnienie, dyfuzja
Promotor: Prof. dr hab. Izabella Grzegory
Obrona:03.09.2020 r.
Zatwierdzenie: 13.10.2020 r.

Details

Temat: HVPE as a method for crystallizing GaN with low background impurity concentration with controllable doping – highly conductive n-type and semi-insulating material
Promotor: Dr hab. Michał Boćkowski
Obrona: 29 kwietnia 2020 r.
Zatwierdzenie: 1 lipca 2020 r.

Details

dr Agata Bojarska
Temat: Temperature dependent processes in the active region of InGaN laser diodes
Promotor: Prof. dr hab. Piotr Perlin
Obrona:.24.04.2019r.
Zatwierdzenie: 29.05.2019r.