Doktoraty
obronione i zatwierdzone
przez Radę Naukową Instytutu Wysokich Ciśnień PAN

Temat: Mechanizm wzrostu azotku indowo-galowego metodą epitaksji z wiązek molekularnych z plazma azotową
Promotor: Prof. dr hab. Czesław Skierbiszewski

Obrona: 22 października 2015r .
Zatwierdzenie: 17 grudnia 2015 r.

Temat: Wpływ warunków wzrostu metodą MOVPE na mechanizm krystalizacji i własności fizyczne warstw epitaksjalnych InGaN do zastosowań w azotkowych emiterach światła
Promotor: Prof. dr hab. Michał Leszczyński

Obrona: 17 czerwca 2016r .
Zatwierdzenie: 28 czerwca 2016 r.

Temat: Struktura mikroskopowa oraz przebieg podstawowych procesów molekularnych na powierzchni GaN(0001) podczas krystalizacji azotku galu metodą wodorkową (HVPE)
Promotor: Prof. dr hab. Stanisław Krukowski
Obrona: 14 maja 2015 r.
Zatwierdzenie: 30 czerwca 2015 r.

Temat: Określenie roli mikrostruktury i jej wpływu na własności transportowe nadprzewodzącego związku MgB2
Promotor: Prof. dr hab. Piotr Przysłupski
Promotor pomocniczy: dr Andrzej Morawski
Obrona: 24 czerwca 2015 r.
Zatwierdzenie: 30 czerwca 2015 r.

Temat: Mechanizmy wzrostu warstw GaN, InGaN oraz AlGaN na podłożach GaN o różnej orientacji krystalograficznej metodą epitaksji z wiązek molekularnych
Promotor: Prof. dr hab. Czesław Skierbiszewski
Obrona: 23 lutego 2015 r.
Zatwierdzenie: 24 lutego 2015 r.

Temat: Efekty fizyczne związane z przestrajaniem laserów półprzewodnikowych za pomocą ciśnienia hydrostatycznego
Promotor: Prof. dr hab. Witold Trzeciakowski
Obrona: 17 czerwca 2014 r.
Zatwierdzenie: 24 czerwca 2014 r.

Temat: Modelowanie własności jedno i wielowarstwowego grafenu izolowanego oraz na powierzchniach półprzewodnikowych
Promotor: Prof. dr hab. Stanisław Krukowski
Promotor posiłkowy: dr Jolanta Borysiuk
Obrona: 21 maja 2014 r.
Zatwierdzenie: 24 czerwca 2014 r.

Temat: Badania wysokociśnieniowe mechanizmów fotoluminescencji w strukturach kwantowych InGaN/GaN
Promotor: Prof. dr hab. Tadeusz Suski
Obrona: 25 listopada 2013 r.
Zatwierdzenie: 13 lutego 2014 r.

Temat: Mechanizmy wzrostu oraz własności fizyczne struktur kwantowych GaN/ AlGaN/InGaN wytwarzanych  metodą epitaksji z wiązek molekularnych z plazma azotową
Promotor: dr hab Czesław Skierbiszewski, prof. IWC PAN
Obrona: 27 sierpnia 2012 r.
Zatwierdzenie: 7 września 2012 r.

Temat: Transport i lokalizacja nośników w złączowych heterostrukturach GaN/InGaN/AlGaN
Promotor: Prof. dr hab. Piotr Perlin
Obrona: 26 lipca 2012 r.
Zatwierdzenie: 7 września 2012 r.